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电子级二氧化碳成半导体材料环节“黑马“
  • 发布日期:2026-10-19      浏览次数:35
    • 电子级二氧化碳成成半导体材料环节"黑马":GB/T 43772-2024 要求 O₂≤0.5 ppm、水分≤0.8 ppm、总杂质≤1 ppm。

      电子级二氧化碳成半导体材料环节

      半导体制造对CO₂纯度要求已达 5N(99.999%)、6N(99.9999%)乃至 7N 级。按《电子气体 二氧化碳》(GB/T 43772-2024),氧含量需≤0.5 ppm,水分≤0.8 ppm,总杂质≤1 ppm;微量杂质超标将直接导致光刻胶性能劣化或晶圆表面缺陷,严重影响芯片良率。应用场景已从"辅助气体"升级为关键工艺气体,覆盖超临界 CO₂ 清洗、光刻环境控制与先进封装等环节。

      纯度分级方面,《电子特气纯度分级》(GB/T 39590-2023)将电子特气分为六级,其中六级纯度(99.9999%)专为半导体制造设计,杂质控制较此前主流的五级纯度(99.999%)更为严格。中国电子气体工业协会(CEGIA)数据显示,2023 年国内六级纯度产品占比仅约15%,纯度升级与国产替代空间显著。

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